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SiC MOSFET并联中需要注意哪些事项？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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SiC MOSFET驱动与Si IGBT驱动异同？SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驱动板方式驱动？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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如何解决SiC MOSFET 应用中驱动的负压尖峰问题？负压尖峰产生机制是怎样的？有什么应对方法？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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如何解决SiC MOSFET应用中的开关震荡问题？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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如何解决SiC MOSFET应用中驱动负压的建立？这种方式是否可靠？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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瞻芯电子SiC MOSFET是否有正负压应力极限的数据？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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瞻芯电子SiC MOSFET体二极管能抗多大的浪涌电流？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
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SiC MOSFET TO247-4比TO247-3的寄生电感改善多少？有没有具体参数？
A瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。
第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。
第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。