变频调速(VFD)在工业和汽车领域得到了广泛的应用。其关键技术是利用半导体开关实现高频脉宽调制(PWM)。主要是在4到16khz的开关频率范围内工作的两电平逆变器产生三相正弦基波电压或电流来驱动电机。对于400V及以上的母线电压，IGBT占主导地位。随着宽频带间隙SiC MOSFET的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动发展的高度关注。SiC MOSFET能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。SiC MOSFET，更像一个电阻，没有IGBTs的PN结电压降，这减少了导通损失，特别是在轻负载。随着更高的PWM频率和更高的电机驱动的基本频率的实现，电机可以设计成