IVCR1401

• 更快的开关速度带来了更严重的开关噪声，新型碳化硅MOSFET专用栅极驱动芯片内部集成了负压电路，在无需外加负压电源的情况下，可以完成输出负压驱动提供更多的噪声裕量，使系统更稳定运行于各种复杂的应用环境。

• 集成的过饱和/过流保护功能，响应时间仅有数百纳秒，可以更及时的保护碳化硅器件在各种干扰甚至短路情况下不损坏，同时将侦测到的错误信号向控制器汇报。

• 新型碳化硅MOSFET栅极驱动芯片还内置了5V电源给隔离器供电，简化了配合隔离器芯片的电路设计。

   

IVCR2401是一颗通用型双通道碳化硅/硅 MOSFET/IGBT栅极驱动芯片，可以有效兼容替代国际上已量产商用的栅极驱动芯片。其主要特点如下：

• 工业标准的SOIC8封装，可以选择带/不带热焊盘（Powerpad or Exposed pad）

• 25V 4A 独立的栅极驱动双通道

• 两个通道之间延迟不超过1ns

• VDD欠压保护（UVLO protection）

• TTL和CMOS输入均可

• 工作温度范围在-40℃ to 125℃

• 可以驱动碳化硅MOSFET的同时，也可以适用于硅MOSFET/IGBT驱动。

主要应用场景

• 开关电源SMPS，包括ACDC和DCDC转换器

• 光伏逆变器系统

• 风能逆变器系统

• 服务器和通信电源

• 不间断电源UPS

• 电动汽车充电机OBC

• 电动汽车电机控制器

• 电动汽车用充电桩/充电站系统