2021年9月，瞻芯电子正式宣布量产1200V 25mΩ Full-SiC（IV1B）半桥功率模块，在现有SiC MOSFET产品和SiC SBD产品基础上，进一步完善了瞻芯电子SiC产品线，在工业电源、光伏应用等领域，为中等电流SiC应用提供了一种简单灵活的解决方案。

该模块采用全SiC MOSFET芯片实现半桥拓扑，充分发挥了SiC器件开关频率高、开关损耗小的特点，同时采用了业内通用的功率模块封装结构，杂散电感低，尺寸与国际主流厂家产品兼容，通过陶瓷直接敷铜基板进行电气隔离和散热，并通过模块内嵌的NTC进行温度的监控，方便了客户安装使用。

模块内部使用的是瞻芯电子已经量产的SiC MOSFET芯片，该芯片在分立器件中已经通过了JEDEC测试，同时瞻芯电子按照IEC60749-34和AQG324规定的方法和条件，通过了针对模块模块产品进行的秒级和分钟级功率循环测试。