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SiC MOSFETs
In the field of modern power electronics, selecting the appropriate power devices is crucial for improving system performance and efficiency. SiC MOSFET products, compared to silicon-based MOSFETs, have lower conduction losses, faster switching speeds and operating frequencies, making them suitable for more efficient and compact application scenarios.
碳化硅(SiC)二极管
In the field of modern power electronics, selecting the appropriate power devices is crucial for improving system performance and efficiency. Silicon carbide diodes, compared to silicon-based diodes, have lower conduction losses, higher operating temperatures, and switching frequencies, which are conducive to enhancing the overall system efficiency!
碳化硅(SiC)模块
In the field of modern power electronics, selecting appropriate power devices is crucial for improving system performance and efficiency.
Silicon carbide power module products, combining the unique advantages of silicon carbide devices and different packaging technologies, are capable of supporting system designs that are more efficient, more compact, and more streamlined!
栅极驱动芯片
In the field of modern power electronics, selecting the appropriate gate drive chips is crucial for ensuring the safety and stability of the system, as well as improving system efficiency. IVCT provides a variety of gate drive chips, including single and dual channel options, different insulation levels, negative voltage drive, short-circuit protection, and resistance to Miller effect, to support more stable and efficient system designs!
{{scope.row.PowerSwitch}}
电源控制芯片
The analog control chips developed by IVCT require no programming or debugging, yet they can provide fast, precise and reliable analog control signals. At the same time, they are capable of overcoming various technical challenges in different applications, thereby helping to rapidly develop high-performance power supply products.
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电动汽车充电柱2025/01/12由于技术的改进、低碳排放要求和政府的政策激励,电动汽车(EV)是汽车行业一个快速增长的部分。目前,电动汽车行业正在进行一场技术变革,通过充电基础设施提高汽车续航里程。电动汽车制造商和充电服务企业正在大力投资充电站基础设施,以支持长续航能力电动汽车和改善电动汽车司机的充电体验。政府激励措施和汽车制造商在充电基础设施建设方面的举措是推动全球电动汽车充电站市场增长的关键因素。根据仔细的市场研究报告,预计到2027年,市场规模将达到300亿美元左右,2019年复合年增长率为36%。3级直流充电站细分市场占整个电动汽车充电站市场的最大份额,在预测期内亚太地区将占据近50%的市场份额。这一细分市场的很大一
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固态变压器2025/01/12固态变压器(SST)是一种集高频变压器、电力电子转换器和控制电路为一体的新兴技术。它的目标是用“智能”解决方案取代传统的线频率分布变压器。SST技术可能会影响许多领域的发展,比如:智能电网、牵引系统、可再生能源系统(RESs)等等。虽然SST的结构比传统变压器复杂得多,但它可以消除一些缺点,并增加一个目前还没有的全新功能.
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Micro Grid微电网2025/01/12微电网是一组分散的电源和负荷,通常与传统广域同步电网连接并网运行,但也可以离网为“孤岛模式”,并根据实际状态或经济条件的要求自主运行。通过这种方式,微电网能够有效地整合各种分布式发电资源,特别是可再生能源—可再生电力。并能够在孤岛模式和并网模式之间切换,提供应急电力。
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电机驱动2025/01/12变频调速(VFD)在工业和汽车领域得到了广泛的应用。其关键技术是利用半导体开关实现高频脉宽调制(PWM)。主要是在4到16khz的开关频率范围内工作的两电平逆变器产生三相正弦基波电压或电流来驱动电机。对于400V及以上的母线电压,IGBT占主导地位。随着宽频带间隙SiC MOSFET的出现,其优越的开关性能迅速引起电机驱动发展的高度关注。SiC MOSFET能够将开关损耗降低70%左右,或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。SiC MOSFET,更像一个电阻,没有IGBTs的PN结电压降,这减少了导通损失,特别是在轻负载。随着更高的PWM频率和更高的电机驱动的基本频率的实现,电机可以设计成
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电能质量补偿2025/01/12电能质量是当今电力系统和终端电子设备关注的焦点之一。非线性负载,如整流输入(无PFC)、电子镇流器、基于可控硅的转换器和电机驱动器、电焊机、家用电器等的广泛使用,造成交流电力网的电流畸变和电压波形扰动。受污染的交流电源会导致一些敏感的电子设备如数据中心、通信系统、雷达系统、半导体制造设备等发生故障甚至关机。大量的电感性或电容性负载,如大量交流电直接驱动的感应电动机,会增加电力系统的无功功率,造成交流电流和交流电压的相位差,这会增加系统的功率损耗和容量负荷。
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储能系统2025/01/12储能系统的灵活性为大规模发电和输电系统的高效和可靠运行提供了一系列优势。储能系统提高了电网运行的效率,减少了在电网高峰时期的局部电量拥塞造成线路损耗。储能系统还可以减少为满足用电系统高峰需求而建造更多发电厂的需要。随着越来越多的太阳能光伏发电和风力发电的使用,能源存储与可再生能源的结合将有可能在未来十年改变我们生产、分配和使用能源的方式。这正大大推进太阳能光伏电站和风力发电机与储能系统(ESS)集成的需求和大规模发展。
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感应加热2025/01/12感应加热是通过电磁感应加热导电物体(通常是金属)的过程,通过物体内部的涡流产生热量。感应加热器由电磁铁和电子振荡器组成,电子振荡器产生的高频交流电流通过电磁铁绕组。快速的交变磁场穿过金属体,在导体内部产生电流,称为涡流。涡流流过导体的电阻,做功产生热量。在铁磁性材料,如铁,热也可能由磁滞损失而产生。使用的电流频率取决于物体大小,材料类型,耦合(工作线圈和被加热物体之间)和穿透深度。
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脉冲电源2025/01/12脉冲电源是一种能在微秒或纳秒级产生瞬间高功率的设备。脉冲电源通常配置有电容充电器和带有半导体开关和/或磁脉冲压缩(MPC)电路系统(饱和电抗器)的脉冲产生电路。它们能够高精度和稳定的重复驱动脉冲产生。
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电焊机2025/01/12焊接是一种常用的连接金属的方法,应用广泛。焊接电源是提供并调节进行弧焊的电流的装置。一个低成本,入门级的焊机是所谓的“嗡嗡箱”焊机,如下图所示,它是一个包含可饱和电感或电流控制电路的简单变压器。变压器的两个端子连接着基底金属(工件)和电焊条。当电焊条撞击基底金属时,短路引起较大的电流并引发电弧,使电焊条熔化并填充基底金属的空隙。由于这种“电焊机”的控制有限,焊接质量在很大程度上取决于焊工的操作水平。质量重和噪音高是这种焊接机的另外缺点。随着功率半导体开关的出现,先进的逆变焊机被发明。采用高频开关技术和闭环控制,使焊机变得更轻、更容易使用。低功率逆变焊机的框图如下所示。
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太阳能逆变器2025/01/12太阳能是可用的最清洁和最丰富的可再生能源。太阳能光伏电池或电池板是将太阳能转换成电能的设备。太阳能电池板的集约开发和大规模生产已经在这个新千年开始。2018年,全球太阳能光伏装机容量已达到494.3GW,预计在2019年至2030年之间将增长逾1 TW(来源:环球数据)。据估计,在此期间新增的大部分产能将来自中国、印度和其他亚太国家。随着装机容量的快速增长和技术水平的提高,建立太阳能光伏的平均支出成本显著降低,但各国之间的差距仍然很大。生产成本的降低和政府的政策的支持使太阳能光伏平均系统价格下降。2010年,全球太阳能光伏电站平均资本成本为4162美元/千瓦,2018年降至1240美元/千瓦,
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