新闻资讯
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2025/03/14
瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用这款1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。查看详情 > -
2025/03/01
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块，3B封装提升系统功率密度这款3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。查看详情 > -
2025/02/18
瞻芯电子完成C轮首批近十亿元融资此次C轮融资，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。查看详情 > -
2024/12/06
TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，助力高效高密电源设计TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有漏感小、开关损耗低、散热性强、安装方便等特点。查看详情 > -
2024/10/26
瞻芯电子七周年庆：创新驱动，碳化硅(SiC)技术改变未来公司在上海、义乌两地举办的周年庆祝活动如“7”而至，回顾过去，未来可期。查看详情 > -
2024/10/26
车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产，集成负压驱动和短路保护IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能，是针对SiC MOSFET应用特点，而设计的比邻驱动®(NextDrive®)芯片之中的隔离型产品，现已获得车规级可靠性认证（AEC-Q100）。查看详情 >
