碳化硅功率器件属于宽禁带半导体功率器件的一种，具有更高的阻断电压，更低的导通电阻和更高的导热性，因此有望在某些应用场合替代传统硅功率器件。瞻芯电子目前推出1200V/50mOhm碳化硅MOSFET和1200V/30A碳化硅二极管，下图的图1图2为碳化硅MOSFET和碳化硅二极管的封装和PIN脚定义。
图1 1200V/50mOhm 碳化硅MOSFET
图21200V/30A 碳化硅二极管
利用上述两种碳化硅功率器件可以实现全碳化硅升压变换器（DCDC Boost），采用两路10KW交错并联输出20KW，进一步提升功率等级。每一路采用一只1200V/50mOhm碳化硅MOSFET和一只1200V/30A碳化硅二极管以实现10KW输出功率。碳化硅MOSFET具有低开关损耗，碳化硅二极管具有零反向恢复损耗的特点，使得采用全碳化硅方案的20KW升压变换器具有极高的效率，超宽负载范围效率超过98%(10%~100%负载范围)，峰值效率高达99.4%。
图3 交错并联20KW升压变换器
图4 交错并联20KW升压变换器效率曲线
图5 20KW交错式DC-DC升压电路实物图（尺寸为毫米）
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