这是瞻芯电子凭借核心团队在多领域的专业经验，依据自主开发的碳化硅 MOSFET的实际参数，结合高压大功率电源、逆变器、高速电机驱动等多个行业领先客户在各类应用遇到的实际问题，成功定义和开发的一系列碳化硅专用驱动芯片。因为封装紧凑，芯片可紧邻器件布局，因此命名为比邻驱动™，同时Nextdrive®也寓意为“下一代”的创新驱动产品。
开发背景
为了充分发挥碳化硅(SiC)MOSFET的优势，需采用合理的驱动电路以满足碳化硅(SiC)MOSFET的特殊要求。因为碳化硅(SiC)MOSFET比传统的硅(Si)器件的开关速度和开关频率快上十多倍，所以驱动回路必须具备较小的杂散电感、足够的驱动能力、高精度的负电压、精确可控的短路时间，以及灵活可调的软关断。
如何选择隔离型或非隔离型栅极驱动芯片？可参考以下几方面：
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安全性和可靠性：对电气隔离有高要求的场景，选隔离型驱动芯片；无须隔离的场景，选非隔离型驱动芯片。
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抗干扰性：评估系统对外界干扰的敏感程度，对于容易受到干扰的应用，选择隔离型驱动芯片，因其抗干扰性能更好。
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成本预算：衡量系统设计和制造的成本，非隔离型芯片通常成本更低，有助于降低整体成本。
更适合采用非隔离驱动芯片的应用场景，比如：
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不需要隔离的应用，如：PFC电源/电动空调压缩机/PTC电源等； -
若功率回路是PCB布局的第一考虑因素，则驱动设计要作取舍，隔离部分可能跟驱动部分距离较远； -
多管并联，分布式非隔离驱动方案；
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内部恒流源增加到1mA，让响应速度更快，抗噪耐量更高； -
阈值提高到9.5V，提高抗噪能力； -
可通过外围的R1来调整触发阈值；
比邻驱动™IVCR1412是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能，且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片。
因为IVCR1412输出准电流源，从而免除了栅极电阻，又能贴近功率管安装，则让栅极驱动环路最大限度地减小杂散电感，提升动态均流的效果明显。由于栅极驱动环路上没有栅极电阻，IVCR1412的强下拉输出可实现有源米勒效应抑制功能，从而可靠地关断MOSFET。
IVCR1412可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案，主要特点及应用框图如下：
相关链接：紧凑型SiC栅极驱动IVCR1412，集成负压和米勒效应抑制功能
注：以上型号中Q代表符合车规级(AEC-Q100)标准。
相关链接：隔离驱动芯片IVCO1A0x获车规级认证，助力汽车电子应用
瞻芯电子在“2023年碳化硅功率半导体和芯片技术研讨会”上专题介绍过比邻驱动™(Nextdrive®)系列芯片及众多产品和应用报告，为了帮助更多业界伙伴开发和应用，故将陆续精选内容发布。
本文因篇幅有限，分为上下两篇展开，下篇将介绍比邻驱动™(Nextdrive®)系列芯片在下列场景的应用：
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车载空调压缩机应用
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叉车充电机应用 -
车载PTC加热方案 -
风机驱动方案 -
IVCR1412芯片多管并联 -
Local Buffer方案