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实至名归,瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项
发布人:陈健 发布时间:2024/12/16 点击数:488

12月12日,由行家说主办的“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开,数百家SiC&GaN企业代表汇聚,共同见证第三代半导体产业的年度进展和成果。大会同期举办“2024行家极光奖”颁奖典礼,旨在树立行业标杆,提升企业品牌认知度和影响力,为行业发展注入创新力与推动力。

瞻芯电子副总经理曹峻出席大会,并发表主题报告《碳化硅车载功率转换解决方案》,主要分享了公司最新的碳化硅(SiC)MOSFET和驱动芯片产品,以及在新能源汽车领域的解决方案。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件和驱动解决方案,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场,取得出色的业绩表现,在颁奖礼上荣获三项大奖:中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”第三代半导体应用推动突破奖”。

中国SiC IDM十强企业

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品和工艺平台的公司,于2020年发布了第1代SiC MOSFET产品。2022年,瞻芯电子位于浙江义乌的SiC晶圆厂顺利投产,整合了SiC器件设计与制造(IDM),实现由Fabless到IDM的跨越,加快了技术迭代,并陆续推出了第2代和第3代SiC分立器件,覆盖650V-3300V SiC MOSFET和650V-2000V SiC SBD系列产品,产品核心参数处于国际一流水平。成立7年来,瞻芯电子服务支持客户超1000家,截至今年11月,SiC MOSFET产品累计交付逾1400万颗,其中逾400万颗上车应用,驱动芯片累计交付逾5500万颗,产品的长期可靠性得到市场的充分验证。

年度影响力产品:第3代SiC MOSFET
2024年瞻芯电子发布了第3代SiC MOSFET产品,该系列产品在保证高可靠性的前提下,将产品核心指标:比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²,且导通电阻Ron在175℃高温下仅升高1.42~1.65倍,具有更低的温升系数,达到国际领先水平,展现了强大的市场竞争力。

第三代半导体应用推动突破奖

自2022年,瞻芯电子的首批SiC MOSFET产品“上车”应用以来,逐步渗透车载电源(OBC/DC-DC)、车载空调、光伏与储能、充电桩等重要市场。2024年,瞻芯电子凭借最具竞争力第3代SiC MOSFET产品,赢得多家客户EV主驱逆变器用SiC项目,其中商用车主驱用SiC项目已率先量产,一举突破技术门槛最高的SiC应用市场。

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