11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。

产品特性

特点概括：

• 高压、低导通电阻
• 高速、寄生电容小
• 高工作结温
• 快速恢复体二极管

目前，瞻芯电子开发的1700V碳化硅(SiC) MOSFET系列产品，包括了3种导通电阻：1Ω、10Ω、50Ω，同时有2种封装形态：TO263-7与TO247-3，还有无封装的裸芯片产品，如下表：

典型应用

• 辅助电源
• 开关电源
• 智能电表

参考设计：1000V 200W反激电源

凭借1700V碳化硅(SiC) MOSFET耐高压的能力，瞻芯电子采用IV2Q171R0D7Z开发了一款高达1000V宽幅电压输入的反激电源方案，最大功率200W，效率高达88.5%，待机损耗仅0.3W。

该反激电源采用小功率的 DC-DC 的拓扑，主要用于300-1000V高压直流输入，变换为24V低压输出。本方案对比采用硅(Si)器件的传统辅源，损耗显著降低，在输出功率100W以下或短时间工作条件下，无须风扇冷却。

该方案的实物图如下：

核心元器件：

IV2Q171R0D7Z：1700V 1Ω SiC MOSFET in TO263-7

IVCR1801：单通道 高速栅极驱动芯片，拉/灌电流为4A/8A

如果想了解更多200W 碳化硅反激电源参考设计的资料，可从瞻芯电子公众号或网站下载。

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