上海瞻芯电子科技股份有限公司

瞻芯电子亮相TMC2025，荣获年度创新技术奖

发布人：IVCT 发布时间：2025/06/17 点击数：71

6月12日-13日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子在南通参展第十七届国际汽车动力系统技术年会（TMC2025），展示最新的第3代SiC MOSFET产品及专用驱动芯片，面向主驱逆变器、车载充电机、车载空压机等应用提供一站式芯片解决方案，荣获TMC2025年度创新技术奖，展现了强大的技术实力。

第十七届国际汽车动力系统技术年会（TMC2025）由中国汽车工程学会、江苏省科学技术协会主办，中汽翰思管理咨询公司协办。全球顶尖学者、行业领袖、资深专家及行业知名主机厂与核心零部件企业汇聚一堂，共同打造了一场涵盖技术研讨、展览展示、产业对接、平台共创的全球汽车动力技术盛会，共同探寻动力系统新技术新趋势。

TMC2025同期活动隆重推出年度创新技术评选，从创新性、价值及产业化潜力这三个维度为行业甄别更适合中国市场的创新技术。来自58家企业的58项技术和产品参加此次评选活动，其中根据企业提报世界首创8项，国内首创25项，最终由现场609位参会代表、行业专家（投票权重高于往届）、媒体代表投票产生TOP13。瞻芯电子第3代1200V 13mΩ SiC MOSFET产品凭借优异的性能，脱颖而出获得年度创新技术奖，展现了强大的竞争力和市场认可度。

关于1200V 13mΩ SiC MOSFET产品

瞻芯电子第3代1200V SiC MOSFET为平面栅型MOSFET，驱动电压为15V~18V，核心指标比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²，通过AEC-Q101可靠性认证，综合性能达到国际第一梯队的水平。

更重要的是，第3代1200V SiC MOSFET的导通电阻Rds(on)在175℃高温运行情况下，导通电阻Ron的温升系数明显降低，当Vgs=15V时为1.42倍，当Vgs=18V时为1.65倍，导通电阻增加较少，显著降低了损耗，特别适合新能源汽车主驱逆变器等高温、大电流应用场景。