为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要，瞻芯电子开发了2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

关于产品

• IV2Q20045T4：2000V 45mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET，TO247-4

  驱动电压：15V~18V，具有开尔文源极引脚

• IV1D20020T2：2000V 20A 碳化硅(SiC)Schottky Diode，TO247-2

  工作结温高达175℃，且Vf具有正温度系数

关于应用

随着电力电子技术的发展，在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势：一是追求更高工作频率，以压缩电感和电容尺寸，提升效率和功率密度；二是追求更高母线电压，以降低电流导通损耗，提升系统效率。

IV2Q20045T4 典型应用：

• 光伏逆变器
• UPS电源
• 电机驱动
• 开关电源

   

IV1D20020T2 典型应用：

• 光伏逆变器
• 逆变器续流二极管
• 开关电源