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瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块，3B封装提升系统功率密度

发布人：瞻芯电子发布时间：2025/03/01 点击数：1086

2月28日，瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。

这款模块产品(IV3B20023BA2)尺寸与标准的Easy 3B封装相同，壳体高度仅12mm，能压缩应用系统的体积；不同之处在于，3B封装加装了金属底座，如下图2，让模块安装更牢固，同时消除了塑料底座老化的隐患，更安全可靠。

图1，模块外观

模块电路拓扑

这款模块产品(IV3B20023BA2)内部集成了4相升压电路，共用电源接地，分为2组，集成热敏电阻以监测温度，如下图3，可灵活适配2路或者4路直流输入（DC input），满足个性化设计需求。相对于分立器件方案，大幅提升功率密度，同时显著简化了电路的设计。

此外，该模块具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障系统安全和高效。

图2，模块拓扑

2000V SiC MOSFET和SBD芯片

这款模块产品(IV3B20023BA2)中每一路升压电路由2000V 23mΩ MOSFET和2000V 40A SBD芯片组成。其中2000V SiC MOSFET采用成熟的第二代平面栅SiC MOSFET工艺技术，具有良好的性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，室温额定电流65A；其中2000V SiC SBD的正向压降(Vf)具有正温度系数，有利于并联均流，保障系统安全稳定。

2000V SiC模块的应用价值

随着电力电子技术的发展，在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势：一是追求更高工作频率，以缩减电感和电容规格，降低物料成本，提升效率和功率密度；二是追求更高母线电压，以降低器件的导通电流和损耗，提升系统效率。

2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路（MPPT）。如下图3所示，在升压变换电路中，2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量，降低总物料成本，同时让应用控制更简单：

图3，升压变换电路拓扑

对比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模块产品(IV3B20023BA2)，除了上述优势，还进一步简化了电路设计，大幅提升了功率密度，如下图4所示：

图4，光伏应用拓扑