TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET,助力高效高密电源设计
发布时间:2024/12/06
为了满足高密度的功率变换的需求,瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling 3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装上能实现自动化生产。
目前有2款TC3Pak封装产品IV2Q12040K1Z和IV2Q12080K1Z通过了汽车级可靠性认证(AEC-Q101),采用成熟的Gen-2 SiC MOSFET技术,驱动电压兼容15V~18V,具有高频开关、低损耗等特点。
Part Number |
Generation |
Vds |
Ron(25℃) |
Reliability |
Package |
IV2Q12040K1Z |
G2 |
1200V |
40mΩ |
AEC-Q101 |
TC3Pak |
IV2Q12080K1Z |
G2 |
80mΩ |
顶部散热封装TC3Pak
传统的表面贴装器件依赖PCB板散热或导热,限制了碳化硅MOSFET大功率的应用优势。新型TC3Pak封装顶部可紧贴外部散热器,不依赖PCB散热,从而显著抑制SiC MOSFET温度升高,帮助系统实现更高功率、更可靠地工作运行。
TC3Pak封装具有Kelvin源极引脚,可有效抑制驱动电压尖峰,减小开关损耗,有助于发挥SiC MOSFET高频开关优势,进一步提高系统效率。
TC3Pak封装外形紧凑,支持表面贴装,安装简便,示意图如下:
3、主要应用领域
采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET因其耐高压、低损耗、高频开关,且散热性能优秀等特点,主要适用于车载充电机、车载DC/DC、车载空气压缩机控制器、光伏逆变器、AC/DC电源等高效率、高密度应用场景。