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TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET,助力高效高密电源设计
发布人:瞻芯电子 发布时间:2024/12/06 点击数:302

为了满足高密度的功率变换的需求,瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling 3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装上能实现自动化生产。

目前有2款TC3Pak封装产品IV2Q12040K1Z和IV2Q12080K1Z通过了汽车级可靠性认证(AEC-Q101),采用成熟的Gen-2 SiC MOSFET技术,驱动电压兼容15V~18V,具有高频开关、低损耗等特点。C:\Users\CHENJK\Documents\WeChat Files\wxid_ykxuql0uhwqz32\FileStorage\Temp\fd88e7f3d16dda0fe9c6f1b5adcb247.jpg

Part Number

Generation

Vds

Ron(25℃)

Reliability

Package

IV2Q12040K1Z

G2

1200V

40mΩ

AEC-Q101

TC3Pak

IV2Q12080K1Z

G2

80mΩ

 

顶部散热封装TC3Pak

传统的表面贴装器件依赖PCB板散热或导热,限制了碳化硅MOSFET大功率的应用优势。新型TC3Pak封装顶部可紧贴外部散热器,不依赖PCB散热,从而显著抑制SiC MOSFET温度升高,帮助系统实现更高功率、更可靠地工作运行。

TC3Pak封装具有Kelvin源极引脚,可有效抑制驱动电压尖峰,减小开关损耗,有助于发挥SiC MOSFET高频开关优势,进一步提高系统效率。

TC3Pak封装外形紧凑,支持表面贴装,安装简便,示意图如下:

 

3、主要应用领域

采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET因其耐高压、低损耗、高频开关,且散热性能优秀等特点,主要适用于车载充电机、车载DC/DC、车载空气压缩机控制器、光伏逆变器、AC/DC电源等高效率、高密度应用场景。