瞻芯电子第三代 1200V SiC MOSFET 完整产品矩阵落地--上海瞻芯电子科技股份有限公司

瞻芯第三代 SiC MOSFET 以优异性能和可靠性，支撑千万颗级交付规模，覆盖全功率场景应用

发布人：陈健发布时间：2026/08/15 点击数：61

依托成熟的第三代 SiC MOSFET 工艺平台，瞻芯电子打造出 1200V 10~150mΩ 完整产品矩阵，具有9种阻值规格、6种主流封装，全面适配低、中、高功率等级高压变换场景。第3代1200V SiC MOSFET全系列产品凭借优异的高温稳定性、低开关损耗与高可靠性，广泛适配新能源汽车、光伏储能、AI算力、工业电源等领域，助力系统的高效化、小型化升级。历经千万颗级别稳定交付与市场验证，第三代 1200V SiC MOSFET 系列产品凭借优质可靠的表现，赢得广泛认可。第三代 1200V SiC MOSFET 应用于车载储能 AI 服务器电源

一、全规格与多元封装，分层覆盖全行业功率场景

第3代1200V SiC MOSFET产品矩阵，按导通电流能力匹配各行业设备，实现从大功率储能、快充、AI算力，到中低功率车载、工业设备的全域覆盖。

低电阻规格（10mΩ/13mΩ/18mΩ/21mΩ）：大电流设计，适配百千瓦级超大功率储能PCS、直流快充桩、新一代高密度AI算力电源等高功率场景。

通用主力规格（26mΩ/35mΩ）：均衡损耗与成本，覆盖光伏逆变器、大容量储能、传统AI服务器电源、大功率车载电源。

中高电阻（60mΩ/75mΩ/120mΩ/150mΩ）：适配车载空调、车载充电机与高压DC-DC等场景，是车载功率变换的主流选型。

同步推出6类主流封装，标配开尔文源极引脚，满足直插、贴片、顶部散热等不同硬件设计与散热需求，满足主流应用需求：

TO247-4 / TO247-4 Slim：标准直插封装，适配光伏储能、直流充电桩、高压工业变频器等通用大功率设备。

TO263-7：标准贴片封装，依靠PCB铜箔散热，占用空间小，适配传统AI服务器电源、轻量化车载电源、便携储能设备。

TC3Pak / X2Pak / QDPak：顶部散热封装，可实现热电分离设计，兼顾散热和小型化，适配新一代AI算力电源、大功率储能变流器、高密度车载与工业电源。

图1：AIDC HV IBC 800V / 50V 全砖电源模块

说明：该方案采用QDPak顶部散热封装的第3代1200V 21mΩ SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动^®芯片IVCR1401。

图2：第三代1200V SiC MOSFET全系列产品

说明：除了分立器件外，瞻芯可提供上述全阻值规格 Bare Die 裸管芯，支持客户自主开发各类功率模块。

二、核心工艺与性能优势

瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台经过深度优化，全系产品在高温稳定性、全温域开关损耗、长期运行可靠性三个核心维度显著提升，可充分满足各行业高端功率设备的严苛工况要求。以第三代1200V 35mΩ SiC MOSFET为例，与同类产品实测对比，主要呈现下列性能优势：

1. 高温Rds(on)更稳定，导通损耗显著优化

通过优化晶圆元胞结构与掺杂工艺，有效抑制器件在高温工况下的导通电阻漂移，大幅提升运行稳定性。同工况下，对比同为TO263-7封装的第3代1200V 35mΩ（ IV3Q12035D7ZB）和第2代1200V 40mΩ（ IV2Q12040D7Z） SiC MOSFET导通电阻（Ron）在不同温度（Tj）的变化.

图3：Rds(on)-温度特性对比曲线

说明：第3代器件各温区导通损耗均显著降低，适配车载、光储、充电桩等长期持续重载的严苛工作场景。

2. 开关损耗更低，平衡效率与 EMI

凭借元胞与电容特性的精细优化，器件开通、关断全区间开关损耗得到有效优化，从轻载到高温重载工况均可保持优异性能表现。设备无需通过降低开关频率妥协损耗，可在保障高效运行的同时，提升整机功率密度，缩减磁性元器件体积，助力设备小型化、轻量化升级。

图4：不同电流时，Eon/Eoff 开关损耗对比曲线

说明：在相同测试条件、相同电流时，第3代器件的开关损耗表现更优。

图5：不同温度下Eon/Eoff 开关损耗对比曲线

说明：在相同测试条件、相同温度下，第3代器件的开关损耗表现更优。

3. 适应更高开关频率以及更高dv/dt的能力

瞻芯第三代 1200V 35mΩ SiC MOSFET 具备优异高速动态耐受能力，可适配更高开关频率与极速关断工况。依托器件层面多维度结构与工艺协同优化，产品通过严苛动态反偏 DRB 长时可靠性验证：可稳定承受长期持续 150 V/ns 电压变化冲击，极限耐受 dv/dt 超过 200 V/ns。

测试型号	V_Bus	V_GS	dv/dt_off (V/ns)
IV3Q12035T4ZB	960 V	+18 V / -3.6 V	> 150 V/ns @ 1000 h

表1：第三代 1200 V 35 mΩ 器件的长期DRB能力评估

第三代1200V 35mΩ 器件的1000小时DRB测试波形

图6：第三代1200V 35mΩ 器件的1000小时DRB测试波形

第三代1200V 35mΩ 器件的1min DRB测试波形

图7：第三代1200V 35mΩ 器件的1min DRB测试波形

4. 超标准可靠性测试，器件寿命更有保障

在行业常规可靠性测试标准基础上，第三代SiC MOSFET全系产品接受超越车规级标准（AEC-Q101）的加严可靠性测试，放大器件极限老化工况，提前筛查晶圆、封装潜在隐患，确保器件长期运行可靠性。优化后的器件适配汽车、工业等设备高可靠、长寿命的使用需求，可降低设备长期运行故障。

三、一站式SiC+芯片方案，赋能产业升级

瞻芯电子提供一站式碳化硅功率半导体和芯片解决方案，在浙江义乌运营着一座车规级SiC晶圆厂，具有充足的技术积累与服务能力，为客户提供从分立、模块，到驱动芯片的解决方案。

优质国产化选型：器件核心性能参数、开关特性对标行业主流水准，引脚兼容性强，可快速适配现有方案，降低终端设备迭代升级成本。

稳定可靠的交付：依托自主IDM产能优势，结合千万级量产交付经验，供应链自主可控、交付稳定，有效规避供货波动风险，适配规模化批量需求。

一站式芯片方案：搭配瞻芯创新开发的SiC专用·比邻驱动^®芯片，形成“碳化硅器件+驱动芯片”解决方案，提供全流程技术支持，支持应用场景落地。

后续，瞻芯电子将依托第三代 SiC MOSFET 产品系列，围绕AI 算力电源开展解决方案的探讨，敬请期待。

欢迎各行业客户咨询样品、测试报告与产品规格书。