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国产高压SiC实现突破！瞻芯3.3 kV碳化硅MOSFET产品落地，赋能SST等高端装备产业升级

发布人：瞻芯电子发布时间：2026/07/24 点击数：38

固态变压器（SST）是新型电力系统、AI 算力基础设施、轨道交通领域的核心 “能量路由器”，高压碳化硅（SiC）MOSFET 是决定整机功率密度、转换效率与长期运行可靠性的核心功率器件。作为国内领先的碳化硅功率半导体（ IDM）及芯片方案商，瞻芯电子前瞻布局中高压、超高压 SiC 技术路线，现已搭建覆盖管芯、高压分立器件、大功率模块的完整 3.3 kV SiC MOSFET 产品矩阵。器件开关损耗、比导通电阻等核心指标对标国际一线厂商，高温导通、动态开关等关键特性优于国际同类竞品；相关产品已通过多家核心客户全流程可靠性验证，斩获国际头部轨道交通厂商、国内头部 SST 厂商首批商业订单。公司同步推进 2.3 kV、10 kV SiC 工艺平台研发，以国产化高压 SiC 器件赋能轨道交通、风光储微网、大功率快充站、固态变压器（SST）、高压储能 BMS 等高端装备产业化落地。

依托自研成熟 3.3 kV SiC 工艺平台，瞻芯推出三类标准化产品，并配套自研SiC专用隔离栅极驱动芯片，形成 “器件 + 驱动” 一站式高压 SiC 完整解决方案：

1. 3.3 kV SiC MOSFET 芯片 IV3Q335S0BD，导通电阻 50 Ω，可封装制成高压 SiC 固态继电器，适配高压储能 BMS 场景；

TO-247-4 HV（高压/高爬电）分立器件 IV3Q33050TH，规格 3.3 kV / 50 mΩ，具有 15.6 mm 加宽隔离间隙，满足严苛高压安规标准，适配高压脉冲电源等中小功率高压变换设备；

图 1：TO-247-4 HV 3300V SiC 分立器件

3.
XPak 半桥功率模块 IVXP332M3HA3，3.3 kV 耐压，导通电阻 2.5 mΩ，常温直流载流 750 A，峰值脉冲电流 1500 A；搭配即将发布的工业模块专用驱动芯片（IVCO1B12，具备栅氧漏电流监测功能），面向轨道交通牵引变流器、风光储中压并网、大功率中压电机驱动等高可靠大功率高压系统。

图2：XPak 封装 3300 V SiC 半桥模块图 3：IVCO1B12 XPak 模块驱动板

2026 年 6 月 PCIM Europe 欧洲电力电子展上，公司展出以 3.3 kV XPak 半桥模块、配套 IVCO1B12 驱动板为核心搭建的兆瓦级变换器样机（整流/逆变）。相较传统硅基 IGBT 方案，瞻芯 3.3 kV SiC 方案可简化多级功率变换架构，大幅缩减整机体积与重量，显著提升系统的电能转换效率，解决传统方案高频损耗高、绝缘设计复杂、整机散热压力大等行业痛点。

图 4：PCIM Europe 2026 展览 3.3kV 兆瓦级变换器样机（整流/逆变）

图 5：轨交 / 风光储 / 中压电机驱动原理图

在国家级 “万伏千安” 高压半导体攻关项目中，瞻芯联合浙江大学承担 10 kV SiC MOSFET 核心研发工作，2025 年 ISPSD 国际功率半导体大会上，双方联合发布 1 cm² 超大尺寸 10 kV SiC MOSFET 芯片成果，器件比导通电阻低于 120 mΩ・cm²，性能逼近碳化硅材料理论极限。同时，公司独立研发 2.3 kV SiC MOSFET 正开展工艺优化与可靠性验证，产品即将推向市场。

作为打通芯片设计、晶圆制造、电力电子全链路的国产碳化硅(SiC) IDM 厂商，瞻芯深度匹配下游应用需求，持续开发 2.3 kV、3.3 kV、10 kV 碳化硅核心工艺，以构建从中高压到超高压的 SiC 产品矩阵。瞻芯电子将提供标准化、可批量交付的高压SiC管芯、分立器件和模块产品，推动固态变压器规模化商用，助力新型电力系统、AI 算力基础设施、轨道交通、风光储能、大功率快充站等装备实现全面升级，携手全产业链伙伴拓宽高压 SiC 广阔应用蓝海。