该产品采用第2代平面栅SiC MOSFET技术，在第1代的基础上优化栅氧化层工艺和沟道设计，让器件更紧凑，比导通电阻下降25%，开关损耗更低，同时延续了良好的鲁棒性与可靠性。驱动电压推荐18V，且兼容15V。