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IV1Q12160T4Z
Gen-1 1200V 160mΩ SiC MOSFET in TO247-4
该产品基于第1代平面栅SiC MOSFET技术，驱动电压为20V，具有较低的开关损耗、良好的参数一致性、稳定性和长期可靠性。
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  • 典型应用
    • On-board charger
    • Solar inverters
    • UPS
    • Motor drivers
    • High voltage DC/DC converters
    • Switch mode power supplies
  • 特性与亮点
    • High blocking voltage with low on-resistance
    • High speed switching with low capacitance
    • High operating junction temperature capability
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Kelvin gate input easing driver circuit design
    • AEC-Q101 qualified