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瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

来源：瞻芯电子发布时间：2024/09/30点击数：253

为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要，瞻芯电子开发了2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

关于产品

瞻芯电子依托浙江瞻芯6英寸SiC晶圆厂，基于Gen-2 SiC MOSFET技术和SiC SBD技术，分别开发了2000V SiC MOSFET和SBD工艺平台。平台首款产品延续了成熟产品的良好性能和可靠性表现，并通过了包括HV-HTRB和HV-H3TRB在内的完整可靠性考核。

IV2Q20045T4：2000V 45mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET，TO247-4，驱动电压：15V~18V，具有开尔文源极引脚
IV1D20020T2：2000V 20A 碳化硅(SiC)Schottky Diode，TO247-2，工作结温高达175℃，且Vf具有正温度系数

关于应用

随着电力电子技术的发展，在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势：一是追求更高工作频率，以压缩电感和电容尺寸，提升效率和功率密度；二是追求更高母线电压，以降低电流导通损耗，提升系统效率。

2000V SiC器件兼具耐高压、高频开关的特点，满足以上2方面的系统应用需求。以升压变换电路为例，为了降低线路导通电阻，而将母线电压提升到1500V，若采用1200V SiC器件则需增加联级电路和元器件数量；若采用2000V SiC器件的方案，具有简化电路设计和控制，减少元器件数量，降低成本，提升功率密度等优势，如下图所示：

IV2Q20045T4 典型应用：

光伏逆变器
UPS电源
电机驱动
开关电源

IV1D20020T2 典型应用：

光伏逆变器
逆变器续流二极管
开关电源

关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率半导体和芯片产品，并围绕碳化硅(SiC)应用，为客户提供一站式解决方案。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司，拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂，标志着瞻芯电子进入中国领先的碳化硅(SiC)功率半导体IDM公司行列。

瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。

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