来源： 发布时间：2024/01/16点击数：271
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。此外，瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。
产品特性
关于TO263-7塑封贴片封装，对比传统的TO247封装，体积更小，贴片焊接更简便。在应用中，TO263-7封装的源极(S)为5根引脚并联，阻抗更低，导通损耗也更低。同时TO263-7封装具有开尔文源极引脚(Kelvin Source)，将栅极引脚电感最小化，并用背面的散热板当作漏极(D)，总体封装电感更低，从而抑制了开关时的驱动回路振荡，降低门极噪声，更利于发挥碳化硅(SiC)MOSFET高速开关应用，从而提升系统效率。
为满足多种场景应用需求，瞻芯电子开发了多种规格的TO263-7封装SiC MOSFET产品，电压平台包括650V, 1200V, 1700V，导通电阻覆盖25mΩ-1Ω，如下表：
产品特点：
应用场景
综上分析，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET很适合系统尺寸紧凑，又需要实现高功率、高效率的功率变换的场景应用，具体如下：
