5月19日，瞻芯电子在上海虹桥大华假日酒店举办了“首届碳化硅(SiC)功率半导体和芯片技术研讨会”，会议吸引了来自全国各地近300位受邀嘉宾。会议期间，共有13场专题技术报告和8个应用技术展台、1个公司与产品展台以及2个开放式讨论专区。会议由瞻芯电子首席技术官(CTO)叶忠博士主持，呈现了一场专家云集、主题丰富、内容详实、精彩纷呈的技术盛会。

上图：瞻芯电子CEO张永熙博士致开幕词

此次会议吸引了许多知名企业的研发和项目负责人参加，其中包括新能源汽车、Tier1、光伏储能、充电桩以及高性能电源等领域。会议主题涵盖了碳化硅器件特性、产品可靠性和寿命预测、专用驱动芯片及应用、管芯并联及筛选、图腾柱PFC控制芯片等方面，共有13场丰富多彩的技术报告，吸引了近300位嘉宾出席参会。会议着重探讨了碳化硅应用的热点、难点和痛点问题，为各领域研发技术合作伙伴呈现了一场深入实际、干货十足的技术盛宴。

上图报告：主流SiC MOS竞品测试比较及第二代SiC MOS

上图报告：11kW 三相塑封模块及驱动系统解决方案

上图报告：高性能图腾柱PFC模拟控制芯片IVCC110x

上图报告：SiC MOSFET多管并联均流驱动及IVCR1412应用

同时还特邀知名客户端技术负责人分享了3份技术报告，内容分别涉及碳化硅在光储逆变器应用、碳化硅MOS在EV 电动压缩机上的应用，以及碳化硅MOS在EV OBC和DCDC上的应用，如下图：

上图报告：SiC MOS和专用驱动在EV 压缩机上的应用（特邀）

上图报告：SiC MOS在EV OBC与DC-DC上的应用（特邀）

在本次会议期间，我们还针对“汽车电子”和“光储充”这两个热点领域，特别搭建了一个开放式讨论专区，让大家可以针对感兴趣的话题进行更自由、深入地交流和碰撞，共同探讨技术方案和设计思路，促进技术创新与合作。

上图：“光储充”主题开放式讨论

上图：“汽车电子”主题开放式讨论

本届活动展览区也是一大亮点。瞻芯电子从自主开发的参考设计、辅助测试项目中，精选了一批技术水平较高、实用性较强的项目，并整体搬到会场设置了8个应用技术展位，其中7项为现场上电演示，并通过展示电路波形，为现场参会的研发技术伙伴提供了一个近距离、深入了解瞻芯电子的产品和技术方案的机会。这些展示内容直观而具体，呈现了瞻芯电子领先于市场的技术水平和独特优势，吸引了众多研发技术伙伴们的关注和咨询。

1、20kW 三相PFC：

2、1200V SiC HPD模块带无功负载运行：

3、11kW SiC 三相电机驱动方案：

4、2500W TTP(图腾柱)PFC：

5、200W  1000V 反激电源方案：

6、TO-247-4 SiC MOSFET双脉冲测试：

8、SiC MOSFET寿命测试与预测模型：

9、瞻芯电子公司与产品：

5月20日，瞻芯电子邀请了部分重要客户前往浙江义乌瞻芯电子的SiC晶圆厂。在此期间，客户们参观了综合展厅和SiC晶圆产线，并由技术带头人陪同讲解，整体体展示了瞻芯电子的生产线和技术实力。同时，瞻芯电子首席运营官(COO)陈俭代表公司做专题汇报，详细介绍了SiC晶圆厂生产能力和规划、质量保障体系、半导体工艺、降本计划等丰富的内容，如下图：

上图：瞻芯电子SiC晶圆厂展厅